器件类型
    静电破坏电压(V)
    器件类型
    静电破坏电压(V)
    VMoS
    30～1800
    OP-AMP
    190～2500
    M0SFET
    100～200
    JEFT
    140～1000
    GaAsFET
    100～300
    SCL
    680～1000
    PROM
    100
    STTL
    300～2500
    CMoS
    250～2000
    DTL
    380～7000
    HMOS
    50～500
    肖特基二极管
    300～3000
    E／DMOS
    200～1000
    双极型晶体管
    380～7000
    ECL
    300～2500
    石英压电晶体
    ＜10000