多晶硅料回收生产能力逐渐增加，原材料制造商有了更多的选择，也会放弃一些使用价值低浪费。但是这个过程是相对简单的，低成本的回收材料仍然可以降 低成本，是主要的坩埚基地和半导体材料浪费等等。

我们必须除了石英坩埚基地和半成品半导体晶片和金属加工电路通常使用洗衣篮，篮子静态浸泡12小时(根据酸的浓度和比例)。这种方法是简单和节省成本。问题的表面仍在物质和酸反应的过程中，酸处理能力需要慢慢地释放了很长一段时间。在这种情况下，如果加入循环泵，用于混合酸，缩短浸泡时间可以统一处理的效果。

如果使用超过锅小颗粒床的传统方法，打破细胞和电路的半导体材料浸泡很难处理或将导致更多的浪费。因为在处理的过程中杂质、酸材料中心的处理能力大大减弱，和外围酸的强度不会改变，而且硅材料的损失。在这种情况下，应该使用倾斜浸泡，利用浮力，使材料均匀性过程中酸浸过程。

金属硅（1提纯）→高纯多晶硅—（2掺杂铸造或拉晶）→多晶硅锭/锭—（3切片）→硅片—（4制绒、扩散、印刷）→电池片—（5层压、封装）→电池组件—（6配套连接、安装）→光伏发电系统。

其中，提纯的环节是技术难度的环节。有冶金法和化学法两种方式。

后段工序对设备要求较高

硅料包含单晶硅和多晶硅等，单晶硅有;单晶边皮、头尾、棒、锅底料等，多晶硅有：原生多晶硅、多晶边皮、多晶方锭等。

多晶硅硅料回收后的清洗方法，将多晶硅硅料置于混合酸液中进行避光浸泡1分钟～10分钟，混合酸液温度为30℃～35℃，后捞取，用纯水冲洗，再经超声冲洗、压缩空气鼓泡后烘干；混合酸液为腐蚀液，配比为硝酸∶氢氟酸∶冰乙酸的溶液体积比为57∶18∶25；硝酸浓度为68％～72％，氢氟酸浓度为38％～41％，冰乙酸浓度为99.8％～99.9％；纯度等级为MOS级或UP级。将多晶硅硅料置于混合酸液中避光浸泡前，可以在氢氟酸液中进行避光预浸泡，也可以先在溶解光阻的溶剂中进行避光浸泡。用本方法清洗的多晶硅硅料，表面光洁，无酸渍、水渍，其优点为清洗效果好，清洗成本低，操作难度低，易于控制清洗质量，提高了清洗收率。

对硅片行业稍微有些了解的人都应该知道，废硅片回收之后是必须要清洗的，而且我们还要对清洗过程给予必要的重视，不能马马虎虎，因为硅片回收清洗的效率将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性。下面我们就来了解一下费硅片回收清洗的重要性。

现在人们已研制出了很多种可用于废硅片回收清洗的工艺方法和技术，常见的有：湿法化学清 洗、超声清洗法、兆声清洗法、鼓泡清洗法、擦洗法、高压喷射法、离心喷射法、流体力学法、流体动力学法、干法清洗、微集射束流法、激光束清洗、冷凝喷雾技 术、气相清洗、非浸润液体喷射法、废硅片回收在线真空清洗技术、RCA标准清洗、等离子体清洗、原位水冲洗法等。这些方法和技术现已广泛应用于废硅片回收 加工和器件制造中的废硅片回收清洗。

表面沾污指硅表面上沉积有粒子、金属、有机物、湿气分子和自然氧化物等的一种或几种。超纯表面定义为没有沾污的表面, 或者是超出检测量极限的表面。