2026 年全球锗供需缺口已扩大至 40 吨，占年产量近三成，而低轨卫星、AI 算力等领域的爆发式增长进一步加剧紧张 —— 仅 2026 年全球计划发射的 2 万颗低轨卫星，就将带动年耗锗量超 15 吨，单颗卫星平均耗锗达 5-8 公斤。相比之下，工业加工中产生的废锗粉、边角料等废料堪称 “富矿”：锗单晶研磨粉尘含锗量可达 90%，砷化镓电池废料纯度更是高达 99.99%，经专业处理后回收率能达到 98.5%，成为原生锗的关键补充。
而电子元件拆解所得的锗锭，相对纯度较高，杂质较少，因为电子元件生产对锗纯度有一定要求。外形通常较为规整，尺寸相对固定。 从杂质含量方面对比，低杂质含量的锗锭，其锗含量高，物理性能稳定，回收后可直接用于对纯度要求较高的领域，如半导体制造。而高杂质含量的锗锭，需要经过更复杂的提纯工艺，去除其中的杂质。
化学溶解与浸出：将金属转入溶液
预处理后的锗废料进入湿法冶金的关键阶段——溶解浸出。此步骤的目的是将固态的锗转化为易于分离和纯化的溶液状态。
最常用的方法是采用氧化性酸进行溶解。例如，在加热条件下，使用特定的酸液体系，将锗废料中的金属锗氧化并溶解，生成相应的锗酸盐或含锗的络合物溶液。过程中需要严格控制酸的浓度、温度、反应时间以及氧化剂的添加量，以追求尽可能高的锗浸出率，同时抑制其他杂质金属的大量溶出。
溶解完成后，得到的是含有锗离子以及多种杂质离子（可能包括铁、铜、锌等）的混合溶液。此时，溶液通常需要进行初步的固液分离，过滤掉不溶的残渣，得到澄清的含锗浸出液。
区域提纯与最终成型：迈向高品级材料
对于要求的应用，再生锗锭还需经过区域熔炼提纯这一经典工艺。该工艺利用杂质在锗的固相和液相中溶解度不同的原理，使一个狭窄的熔区沿着锗锭缓慢移动。杂质会随着熔区的移动而被“驱赶”到锗锭的一端或两端。经过多次重复这一过程，锗锭的主体部分纯度得到先进提升，而富集了杂质的头尾部分则被切除，可作为下一轮回收的原料。